Differenze tra le RAM (Random Access Memories)
Piccolo articolo riassuntivo delle diverse versioni DDR
Di cosa si parla?
Si parla di RAM, SDRAM, DDR2, DDR3, DDR4, LPDDR
Ho unito insieme giusto due o tre concetti. Per altre domande mi si può contattare.
Le RAM sono un componente Hardware fondamentale
Introduzione
Ecco a noi, le famiglie Random Access Memory
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory):
“Synchronous” indica il comportamento del tipo di DRAM. La SDRAM cominciò a comparire nei sistemi verso la fine del 1996. A differenza delle tecnologie precedenti, la SDRAM è progettata per sincronizzarsi con i tempi della CPU.
Ciò consente al controller di memoria di conoscere l’esatto ciclo di clock quando i dati richiesti saranno pronti, quindi la CPU non dovrà più attendere per gli accessi alla memoria. Ad esempio, la PC66 SDRAM funziona a 66 MT / s, PC100 SDRAM funziona a 100 MT / s, PC133 SDRAM funziona a 133 MT / s, e così via.
SDRAM può stare per SDRAM SDR (Single Data Rate SDRAM), dove i processi I / O acceso/spento,
il clock interno ed il clock del bus sono gli stessi. Ad esempio, l’I / O, il clock interno ed il clock del bus di una PC133 sono tutti 133 Mhz. Single Data Rate significa che la SDRAM SDR può solo leggere / scrivere una volta sola in un ciclo di clock. Deve attendere il completamento del comando precedente per poter eseguire un’altra operazione di lettura / scrittura.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM):
La generazione successiva di SDRAM è stata quella delle DDR, che raggiunge una larghezza di banda maggiore rispetto alla precedente SDRAM single rate rate trasferendo i datidurante gli aumenti e diminuizioni del segnale di clock (double pumped, si dice). In effetti, raddoppia la velocità di trasferimento senza aumentare la frequenza di clock.
La velocità di trasferimento delle DDR SDRAM è il doppio delle SDRAM SDR a parità di clock. La DDR SDRAM, prima generazione delle DDR, ha un buffer di prefetch a 2 bit, che è il doppio della SDRAM SDR. La velocità di trasferimento della DDR è compresa tra 266 ~ 400 MT / s. DDR266 e DDR400 per esempio sono di questo tipo.
DDR2 SDRAM (Double Data Rate Two SDRAM):
Il suo principale vantaggio è la capacità di utilizzare il bus dati esterno due volte più velocemente della DDR SDRAM. Ciò è ottenuto migliorando il segnale del bus. Il buffer di prefetch delle DDR2 è 4 bit (il doppio delle DDR SDRAM). La memoria DDR2 ha la stessa velocità di clock interna (133 ~ 200MHz) come le prime DDR, ma la velocità di trasferimento di questa seconda versione uò raggiungere 533 ~ 800 MT / s con il segnale del bus I / O acceso/spento migliorato. Le DDR2 533 e DDR2 800 sono state e sono le più comuni.
DDR3 SDRAM (Double Data Rate Three SDRAM):
La memoria DDR3 riduce il consumo di energia del 40% rispetto ai moduli DDR2, consentendo correnti e tensioni operative inferiori (1,5 V, rispetto a DDR2 1.
8 V o DDR 2,5 V). La velocità di trasferimento di DDR3 è 800 ~ 1600 MT / s. La larghezza del buffer di prefetch delle DDR3 è di 8 bit ( abbiamo detto che quella delle DDR2 è di 4 bit e quella di DDR di 2 bit). DDR3 aggiunge anche due funzioni, una è la ASR (Automatic Self-Refresh) e l’altra SRT (Self-Refresh Temperature). Fanno si che la memoria controlli la frequenza di aggiornamento in base alle variazioni di temperatura.
DDR4 SDRAM (Double Data Rate Four SDRAM):
DDR4 SDRAM fornisce la tensione operativa più bassa (1,2 V) e una maggiore velocità di trasferimento rispetto a tutte le altre tecnologie. La velocità di trasferimento delle DDR4 è 2133 ~ 3200 MT / s. DDR4 aggiunge quattro nuove tecnologie Bank Group. Ogni banco di memoria ha la caratteristica di funzionare singlehanded. Quindi, le DDR4 possono elaborare 4 dati all’interno di un ciclo di clock,
quindi l’efficienza della DDR4 è di gran lunga maggiore delle DDR3. DDR4 aggiunge anche alcune altre funzioni, come DBI (Data Bus Inversion), CRC (Cyclic Redundancy Check) e CA Parity. Possono migliorare l’integrità del segnale della memoria DDR4 e migliorare la stabilità della trasmissione / accesso dei dati.
LPDDR. Queste memorie hanno la sigla LP che significa Low Power. Sono sostanzialmente DDR a basso consumo, e si trovano nelle versioni LPDDR3 ed LPDDR4, spesso sui portatili,
Piccola nota aggiuntiva sulle CAS Latency che si leggono spesso. La sigla sta per Column Address Strobe o Signal e si riferisce a quanti cicli di clock servono al modulo RAM per accedere a un insieme specifico di dati in una delle sue colonne (da cui il nome) e rendere disponibili i dati sui suoi pin di uscita, dal momento in cui glielo chiede un controller di memoria.
Dato questo, Spesso nella scelta delle memorie si tende a preferire CAS con latenze più basse (io per esempio adesso sto usando due banchi di memoria della Kingston HyperX con latenze di 14ms.)
FAQ / Domande frequenti
Questo lo lascio come segnaposto per delle domande mie o di altri interessantI a cui rispondere.
risposta…
